LiAlO2 substrate
Description
LiAlO2 dia substrate kristaly sarimihetsika tena tsara.
Properties
| Firafitra kristaly | M4 |
| Ny sela tokana tsy miova | a=5.17 A c=6.26 A |
| teboka mitsonika (℃) | 1900 |
| Haavo (g/cm3） | 2.62 |
| Hardness (Mho) | 7.5 |
| Nikosokosoka | Tokan-tena na roa na tsy misy |
| Orientation kristaly | <100＞ ＜001> |
Ny famaritana ny substrate LiAlO2
Ny substrate LiAlO2 dia manondro substrate vita amin'ny oxide aluminium lithium (LiAlO2).LiAlO2 dia fitambarana kristaly an'ny vondrona habakabaka R3m ary manana rafitra kristaly telozoro.
Ny substrate LiAlO2 dia nampiasaina tamin'ny fampiharana isan-karazany, anisan'izany ny fitomboan'ny sarimihetsika manify, ny sosona epitaxial, ary ny heterostructure ho an'ny fitaovana elektronika, optoelektronika ary fotonika.Noho ny fananana ara-batana sy simika tena tsara, dia mety indrindra amin'ny fampivoarana fitaovana semiconductor bandgap midadasika.
Ny iray amin'ireo fampiharana lehibe amin'ny substrate LiAlO2 dia eo amin'ny sehatry ny fitaovana mifototra amin'ny Gallium Nitride (GaN) toy ny High Electron Mobility Transistors (HEMTs) sy Light Emitting Diodes (LEDs).Ny tsy fitovian'ny lattice eo amin'ny LiAlO2 sy GaN dia somary kely, ka mahatonga azy ho substrate mety amin'ny fitomboan'ny epitaxial ny sarimihetsika manify GaN.Ny substrate LiAlO2 dia manome môdely avo lenta ho an'ny fametrahana GaN, ka manatsara ny fahombiazan'ny fitaovana sy ny fahamendrehana.
Ny substrate LiAlO2 dia ampiasaina amin'ny sehatra hafa toy ny fitomboan'ny fitaovana ferroelectric ho an'ny fitaovana fitadidiana, ny fampivoarana fitaovana piezoelectric, ary ny fanamboarana ny batterie solide.Ny toetra mampiavaka azy ireo, toy ny conductivity mafana avo lenta, ny fahamarinan-toerana mekanika tsara, ary ny tsy miovaova dielectric ambany, dia manome tombony azy ireo amin'ireo fampiharana ireo.
Raha fintinina, ny substrate LiAlO2 dia manondro substrate vita amin'ny oxide aluminium lithium.Ny substrate LiAlO2 dia ampiasaina amin'ny fampiharana isan-karazany, indrindra ho an'ny fitomboan'ny fitaovana mifototra amin'ny GaN, ary ny fampivoarana fitaovana elektronika, optoelectronic ary photonic hafa.Manana toetra ara-batana sy simika mahafinaritra izy ireo izay mahatonga azy ireo ho sahaza amin'ny fametrahana sarimihetsika manify sy heterostructure ary manatsara ny fahombiazan'ny fitaovana.
