Ge substrate
Description
Ny kristaly tokana Ge dia semiconductor tena tsara ho an'ny indostrian'ny Infrared sy IC.
Properties
| Fomba fitomboana | Czochralski fomba | ||
| Crystal Structure | M3 | ||
| Unite Cell Constant | a=5.65754 Å | ||
| Haavo (g/cm3） | 5.323 | ||
| Teboka mandrehitra (℃) | 937.4 | ||
| Fitaovana doped | Tsy misy doped | Sb-doped | In / Ga – doped |
| Type | / | N | P |
| Resistivity | >35Ωcm | 0,05Ωcm | 0.05~0.1Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Size | 10x3,10x5,10x10,15x15,20x15,20x20, | ||
| dia2" x 0.33mm dia2" x 0.43mm 15 x 15 mm | |||
| hateviny | 0.5mm, 1.0mm | ||
| Nikosokosoka | tokana na roa | ||
| Orientation kristaly | <100>, <110>, <111>, ± 0,5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
Ny famaritana ny substrate Ge
Ny substrate Ge dia manondro substrate vita amin'ny singa germanium (Ge).Germanium dia fitaovana semiconductor manana fananana elektronika tsy manam-paharoa izay mahatonga azy ho mety amin'ny fampiharana elektronika sy optoelectronic isan-karazany.
Ny substrate Ge dia matetika ampiasaina amin'ny fanamboarana fitaovana elektronika, indrindra amin'ny sehatry ny teknolojia semiconductor.Izy ireo dia ampiasaina ho fitaovana fototra amin'ny fametrahana sarimihetsika manify sy sosona epitaxial amin'ny semiconductor hafa toy ny silisiôma (Si).Ny substrate Ge dia azo ampiasaina hampitomboana ny heterostructures sy ny sosona semiconductor mifangaro miaraka amin'ny fananana manokana ho an'ny fampiharana toy ny transistors haingam-pandeha, photodetectors, ary cellule solar.
Germanium dia ampiasaina amin'ny photonics sy optoelectronics, izay azo ampiasaina ho substrate amin'ny fitomboan'ny infraroda (IR) detectors sy lens.Ny substrate Ge dia manana fananana ilaina amin'ny fampiharana infrarouge, toy ny fifindran'ny midadasika amin'ny faritra midadasika infrarouge sy ny fananana mekanika tena tsara amin'ny hafanana ambany.
Ny substrate Ge dia manana rafitra makarakara mifanentana akaiky amin'ny silisiôma, ka mahatonga azy ireo hifanaraka amin'ny fampidirana amin'ny elektronika mifototra amin'ny Si.Ity fifanarahana ity dia mamela ny fanamboarana rafitra hybrid sy ny fampivoarana fitaovana elektronika sy fotonika mandroso.
Raha fintinina, ny substrate Ge dia manondro substrate vita amin'ny germanium, fitaovana semiconductor ampiasaina amin'ny fampiharana elektronika sy optoelektronika.Izy io dia sehatra ho an'ny fitomboan'ny fitaovana semiconductor hafa, ahafahana manamboatra fitaovana isan-karazany amin'ny sehatry ny elektronika, optoelectronics ary photonics.
